Inicio > Área de Ciencias y Tecnología > Experto Universitario en Diseño Microelectrónico Analógico y Mixto Avanzado

1.ª Edición - Código 24813140/24811240

Array ( [CODIGO] => 24813140/24811240 [EDICION] => 1 [SITUACION] => Aprobado [SITUACION_BIS] => Pendiente [MATRICULA] => 0 [MATRICULA_2] => 0 [MATRICULA_3] => 0 [HORAS] => 15.00 [FECHA_INICIO] => 07/01/25 [FECHA_FIN] => 27/06/25 [LUGAR] => ETSE [NOMBRE_EMPRESA_ORGANIZADOR] => Escola Tècnica Superior d'Enginyeria (ETSE-UV) [FECHA_FIN_PREINSCRIPCION] => 13/12/24 [AREA] => 8 [NOMBRE_EMPRESA_PATROCINADO] => [NOMBRE_EMPRESA_COLABORADOR] => [OBSERVACIONES_PREINSCRIPCION] => [TIPO_DOCENCIA] => Presencial [TIPO_DOCENCIA_1] => 1 [TIPO_DOCENCIA_2] => Presencial [AULA_VIRTUAL_ADEIT] => 0 [TIPO_CURSO] => Postgrado [TIPO_CURSO_1] => Título Propio de Pos [DIRECCION_URL] => [AÑO_CURSO] => 36 [URL_VIDEO] => [URL_FACEBOOK] => [URL_TWITTER] => [META_TITLE] => [META_DESCRIPTION] => [META_KEYWORDS] => [DIRECCION_CURSO_CORTO] => microelectronica-analogica-mixta [GESTOR_NOMBRE] => Mariam [GESTOR_APELLIDOS] => Conca [GESTOR_EMAIL] => marian.conca@fundacions.uv.es [ADMINISTRATIVO_NOMBRE] => David [ADMINISTRATIVO_APELLIDOS] => Siles [ADMINISTRATIVO_EMAIL] => david.siles@fundacions.uv.es [ES_INTERNO] => 1 [EMAIL_EXTERNO] => informacion@adeituv.es [PREINSCRIPCION_WEB] => 1 [URL_AULA_VIRTUAL] => [OFERTADO_OTRO] => 0 [ID_CURSO_OFERTADO] => 0 [DESCRIPCION_OFERTADO] => [TELEFONO_EXTERNO] => 96 160 3000 [MATRICULA_PDTE_APROBACION] => 0 [ID_IDIOMA] => 4 [PUBLICAR_WEB] => 1 [area_curs] => Área de Ciencias y Tecnología [NOMBRE_CURSO] => Experto Universitario en Diseño Microelectrónico Analógico y Mixto Avanzado [TITULACION] => Experto Universitario [HORARIO] => Tardes y Sábado [REQUISITOS_TITULACION] => Los perfiles de ingreso recomendado se corresponderán a los perfiles formativos de los siguientes planes de estudio a nivel de grado: Ingeniería Electrónica de Telecomunicación, Ingeniería en Tecnologías y Servicios de Telecomunicación, Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación, Ingeniería Electrónica Industrial, Ingeniería Electrónica y Automática Industrial, Ingenieri¿a Electro¿nica Industrial y Automática, Informática Industrial y Robótica, Ingenieri¿a Informática, o grados, nacionales o extranjeros, con una alta afinidad a los aquí enumerados. En menor medida, podrían considerarse graduados en: Ingeniería de la Energía, Ingeniería Aeroespacial, Ingeniería Telemática, Ingeniería Robótica, Ingeniería Física, o títulos afines. En casos excepcionales, podrían considerarse perfiles científicos tradicionales como Grado en Física, Grado en Matemáticas o Grado en Ciencia de Datos. Se permitirá el acceso al estudiantado que le falte menos de un 10% de los créditos para terminar los estudios de grado, de forma condicionada a que se aprueben durante el mismo curso académico. Respecto al perfil personal del estudiante que mejor se adapta, corresponde a personas que quieran profundizar con rigor en los conocimientos y las habilidades que se requieren para especializarse en las áreas descritas para la orientación profesional. Así deberían tener una afinidad con la microelectrónica como motor en amplios sectores socioeconómicos, y en especial, como contribución esencial en sectores estratégicos industriales. Perfiles profesionales del sector con voluntad de asentar, reorientar o complementar su formación también serán adecuados para este título. [REQUISITOS_OTROS] => [ARG_VENTA] => En los últimos tiempos, las empresas del sector de la microelectrónica y los semiconductores han visto como sus ofertas de trabajo quedaban frecuentemente vacantes por falta de personas con la formación demandada para puestos tan específicos. Por tanto, el objetivo fundamental de este título es ofrecer al ecosistema VaSiC perfiles profesionales con las competencias necesarias para ser directamente incorporados en sus plantillas. [ARG_VENTA2] => [AÑO_CURSO_DESC] => Curso 2024/2025 [MODALIDAD_EVALUACION] => El centro responsable del Título de Experto en Diseño Microelectrónico Analógico Avanzado es la Escola Tècnica Superior d'Enginyeria (ETSE), y se impartirá de forma presencial, en castellano, en horario de viernes y sábado. La matrícula será gratuita. Este título propio se desarrolla en 15 ECTS, entre los que se incluyen 6 de proyecto industrial en microelectrónica con empresa, fundamentalmente de VaSiC. Los contenidos de este título serán impartidos en su práctica totalidad por profesorado especialista de las empresas de VaSiC. Todas las asignaturas, tanto las fundamentales como las optativas, incluirán contenidos teóricos y contenidos prácticos. El alumnado dispondrá de ordenadores adecuados con las herramientas utilizadas en el estándar industrial para el desarrollo y análisis de los sistemas que se propongan: Cadence, Synopsys, desarrollo ARM, Matlab... También dispondrán del instrumental necesario para el test y caracterización de los dispositivos que se estudien. Se prevén prácticas en sala blanca. [MODALIDAD_EVALUACION2] => [OBSERVACION_MATRICULA_1] => [OBSERVACION_MATRICULA_2] => [OBSERVACION_MATRICULA_3] => [SALIDA_PROFESIONAL] => Las salidas profesionales previstas están estrechamente vinculadas a los perfiles más demandados en este ámbito, entre los que se podrían destacar: Diseñadores analógicos; diseñadores RF y MMIC; ingenieros de diseño físico (P&R); diseñadores de dispositivos (layout); ingenieros de estándares; ingenieros de test; ingenieros de calidad y fiabilidad; ingenieros de packaging (chiplet...); diseñadores de sensores y MEMS; tecnólogos; diseñadores de dispositivos optoelectrónicos; dieñadores de PCBs; ... [CRITERIO_ADMISION] => Como criterios generales, la dirección del Máster utilizará los siguientes aspectos para valorar las solicitudes de los alumnos: - Titulación (teniendo en cuenta la afinidad del mismo con los contenidos del Máster). - Expediente académico. - Currículum vitae (valorando los cursos recibidos, los méritos de investigación y la experiencia profesional, relacionados con los contenidos del Máster). En el caso de que la demanda de estudiantes sea superior a la oferta y sea necesaria una selección de los estudiantes, ésta será realizada por la CCA del Máster de acuerdo a criterios científicos y académicos basados en la siguiente tabla de ponderación: Formación de partida y título con el que se accede al Máster (los Graduado en Ingenieri¿a Electro¿nica de Telecomunicacio¿n y los Graduado en Ingenieri¿a Electro¿nica Industrial obtienen la máxima puntuación) 40 % Calificación media del expediente de la titulación de acceso. 20 % Currículum vitae presentado (con justificación documental de méritos alegados). Si se considera conveniente se podrá realizar una entrevista personal sobre los méritos alegados y la prioridad del MOIE frente a otros masters 40 % [CRITERIO_ADMISION2] => [CRITERIO_ADMISION3] => [FORMACION_APRENDIZAJE] => Se identifican los siguientes: ¿ Diseñar circuitos integrados digitales, analógicos y mixtos. ¿ Utilizar sensores electroópticos en tecnologías CMOS e híbridas. ¿ Diseñar y validar circuitos y sistemas integrados de aplicación específica. ¿ Verificar y testear circuitos integrados utilizando diferentes tecnologías y herramientas. ¿ Diseñar circuitos integrados monolíticos de alta frecuencia (MMIC). ¿ Capacidad de realizar el diseño físico, optimización y caracterización de materiales semiconductores y dispositivos para aplicaciones microelectrónicas integradas. ¿ Diseñar sensores, transductores y circuitos de interfaz y acondicionamiento con tecnologías MEMs y otras adecuadas para la hibridación con CMOS. ¿ Analizar aspectos metodológicos y aspectos de ensamblaje y encapsulado de sistemas electrónicos y fotónicos. ¿ Considerar competencias de proceso adecuadas en entornos de fabricación, testeo, ensamblaje y encapsulado donde se materialicen los diseños en las diferentes tecnologías contempladas. ¿ Monitorizar y realizar controles de calidad de los diferentes procesos de una secuencia de fabricación de semiconductores a través de distintos tipos de metrología (medidas eléctricas, ópticas, optoelectrónicas, etc.). ¿ Gestionar y participar en procesos de calidad, fiabilidad y certificación. [FORMACION_APRENDIZAJE2] => [FORMACION_APRENDIZAJE3] => [ANO_CURSO_DESC] => Curso 2024/2025 [programa] => Array ( [0] => Array ( [CODIGO_CURSO] => 24813140/24811240 [AÑO_CURSO] => 36 [CODIGO] => 4 [NOMBRE_MATERIA] => Diseño microelectrónico analógico avanzado (A1) [NOMBRE_MATERIA_VAL] => Dissenye microelectrònic analògic avançat (A1) [DESCRIPCION] => programa || programa2 || programa3 [DESCRIPCION1] => TEORIA (12h) 1. Revisión de estructuras básicas de circuitos 2. Técnicas de control aplicadas en diseño microelectrónico analógico 3. Ruido 4. Técnicas de layout 5. Ejemplos prácticos de proyectos: referencias de voltaje 6. Ejemplos prácticos de proyectos: reguladores de voltaje LABORATORIO (18h) 1. Proyecto practico I: Diseño y layout de una referencia de voltaje (parte 1/3) 2. Proyecto practico I: Diseño y layout de una referencia de voltaje (parte 2/3) 3. Proyecto practico I: Diseño y layout de una referencia de voltaje (parte 3/3) 4. Proyecto practico II: Diseño y layout de un regulador de voltaje (parte 1/3) 5. Proyecto practico II: Diseño y layout de un regulador de voltaje (parte 2/3) 6. Proyecto practico II: Diseño y layout de un regulador de voltaje (parte 3/3) [DESCRIPCION2] => [DESCRIPCION3] => [DESCRIPCION1_VAL] => TEORIA (12h) 1. Revisió d'estructures bàsiques de circuits 2. Tècniques de control aplicades en disseny micro electrònic analògic 3. Soroll 4. Tècniques de layout 5. Exemples pràctics de projectes: referències de voltatge 6. Exemples pràctics de projectes: reguladors de voltatge LABORATORI (18h) 1. Projecte pràctic I: Disseny i layout d'una referència de voltatge (part 1/3) 2. Projecte pràctic I: Disseny i layout d'una referència de voltatge (part 2/3) 3. Projecte pràctic I: Disseny i layout d'una referència de voltatge (part 3/3) 4. Projecte pràctic II: Disseny i layout d'un regulador de voltatge (part 1/3) 5. Projecte pràctic II: Disseny i layout d'un regulador de voltatge (part 2/3) 6. Projecte pràctic II: Disseny i layout d'un regulador de voltatge (part 3/3) [DESCRIPCION2_VAL] => [DESCRIPCION3_VAL] => [ORDEN] => 9 ) [1] => Array ( [CODIGO_CURSO] => 24813140/24811240 [AÑO_CURSO] => 36 [CODIGO] => 2 [NOMBRE_MATERIA] => Diseño de componentes de radiofrecuencia y microondas integrados (A2) [NOMBRE_MATERIA_VAL] => Disseny de components de radiofreqüència i microones integrats (A2) [DESCRIPCION] => programa || programa2 || programa3 [DESCRIPCION1] => TEORIA (20h) 1.Introduction a sistemas de comunicación. 2.Componentes para desarrollo de bloques de radio frecuencia. ¿ Extensión modelos RF ¿ Mecanismos de degradación y releability ¿ Líneas de transmisión integradas ¿ encapsulado ¿ Bobinas integradas y extensión de RF de componentes pasivos 3. Diseño amplificadores RF. ¿ Introducción parámetros S ¿ Criterios estabilidad ¿ Topologías y amplificadores ganancia programable. 4.. Amplificadores de bajo ruido ¿ topologías ¿ técnicas cancelación ruido 5.Amplificadores de Potencia ¿ topologías ¿ mecanismos de degradación, SOA y electro migración 6.Mezcladores: ¿ activos vs pasivos ¿ técnicas mejora linealidad 7.Osciladores ¿ osciladores de anillo. ¿ osciladores LC . ¿ Osciladores Colpits . ¿ Osciladores controlados digitalmente. LABORATORIO (10h) P1. Diseño y simulación líneas de transmisión en inductancias P3. Selección punto de polarización de un transistor y Layout P4. Diseño Amplificador bajo ruido P5. Diseño y simulación de un Mezclador. P5. Diseño y Simulación de un VCO [DESCRIPCION2] => [DESCRIPCION3] => [DESCRIPCION1_VAL] => TEORIA (20h) 1.Introducció a sistemes de comunicació. 2.Components per a desenvolupament de blocs de ràdio freqüència. Extensió models RF Mecanismes de degradació i releability Línies de transmissió integrades encapsulat Bobines integrades i extensió de RF de components passius 3. Disseny amplificadors RF. Introducció paràmetres S Criteris estabilitat Topologies i amplificadors guany programable. 4.. Amplificadors de baix soroll topologies tècniques cancel·lació soroll 5.Amplificadors de Potència topologies mecanismes de degradació, SOA i electro migració 6.Mescladors: actius vs passius tècniques millora linealitat 7.Oscil·ladors oscil·ladors d'anell. oscil·ladors LC . Oscil·ladors Colpits . Oscil·ladors controlats digitalment. LABORATORI (10h) P1. Disseny i simulació línies de transmissió en inductàncies P3. Selecció punt de polarització d'un transistor i Layout P4. Disseny Amplificador baix soroll P5. Disseny i simulació d'un Mesclador. P5. Disseny i Simulació d'un VCO [DESCRIPCION2_VAL] => [DESCRIPCION3_VAL] => [ORDEN] => 10 ) [2] => Array ( [CODIGO_CURSO] => 24813140/24811240 [AÑO_CURSO] => 36 [CODIGO] => 3 [NOMBRE_MATERIA] => Diseño de sistemas microelectrónicos (A3) [NOMBRE_MATERIA_VAL] => Disseny de sistemes microelectrónics (A3) [DESCRIPCION] => programa || programa2 || programa3 [DESCRIPCION1] => TEORIA Tema 1: Circuitos de capacidades conmutadas (4h) Tema 2: Técnicas de compensación de offset, ruido de baja frecuencia y desapareamiento (4h) Tema 3: Convertidores de Nyquist (4h) Tema 4: Convertidores de sobremuestreo (4h) Tema 5: Sensores de temperatura integrados. (4h) Tema 6: Frontends para sensores capacitivos, resistivos o inductivos (4h) LABORATORIO Práctica 1: técnicas de simulación de circuitos en tiempo discreto (1.5h) Práctica 2: modelado de comportamiento de moduladores sigma-delta (1.5h) Práctica 3: diseño y simulación de circuitos SC para convertidores Sigma-Delta (1.5h) Práctica 4: diseño y simulación de un sensor de temperatura (1.5h) [DESCRIPCION2] => [DESCRIPCION3] => [DESCRIPCION1_VAL] => TEORIA Tema 1: Circuits de capacitats commutades (4h) Tema 2: Tècniques de compensació d'offset, soroll de baixa freqüència i desaparellament (4h) Tema 3: Convertidors de Nyquist (4h) Tema 4: Convertidors de sobremostrege (4h) Tema 5: Sensors de temperatura integrats. (4h) Tema 6: Frontends per a sensors capacitius, resistius o inductius (4h) LABORATORI Pràctica 1: tècniques de simulació de circuits en temps discret (1.5h) Pràctica 2: modelatge de comportament de moduladors sigma-delta (1.5h) Pràctica 3: disseny i simulació de circuits SC per a convertidors Sigma-Delta (1.5h) Pràctica 4: disseny i simulació d'un sensor de temperatura (1.5h) [DESCRIPCION2_VAL] => [DESCRIPCION3_VAL] => [ORDEN] => 11 ) [3] => Array ( [CODIGO_CURSO] => 24813140/24811240 [AÑO_CURSO] => 36 [CODIGO] => 1 [NOMBRE_MATERIA] => Proyecto industrial en microelectrónica [NOMBRE_MATERIA_VAL] => Projecte industrial en microelectrònica [DESCRIPCION] => programa || programa2 || programa3 [DESCRIPCION1] => Los contenidos del "Proyecto Industrial en Microelectrónica" serán diferentes dependiendo de los objetivos concretos del proyecto a realizar. Pueden ser objeto de tema de aquellos que sean propios de los estudios del título. En particular, se podrán proyectar toda clase de sistemas y dispositivos microelectrónicos por cuantos procedimientos permita realizar la ingeniería actual. También podrá ser objeto del Proyecto Industrial en Microelectrónica los trabajos de investigación y desarrollo, y el modelado teórico o numérico de los dispositivos, circuitos o sistemas microelectrónicos. Se podrán considerar asimismo los estudios relacionados con los contenidos del título relativos a equipos, fábricas, instalaciones, servicios o su planificación, gestión o explotación. [DESCRIPCION2] => [DESCRIPCION3] => [DESCRIPCION1_VAL] => Els continguts del "Projecte Industrial en Microelectrònica" seran diferents depenent dels objectius concrets del projecte a realitzar. Poden ser objecte de tema d'aquells que siguen propis dels estudis del títol. En particular, es podran projectar tota classe de sistemes i dispositius microelectrónicos per quants procediments permeta realitzar l'enginyeria actual. També podrà ser objecte del Projecte Industrial en Microelectrònica els treballs de recerca i desenvolupament, i el modelatge teòric o numèric dels dispositius, circuits o sistemes microelectrónicos. Es podran considerar així mateix els estudis relacionats amb els continguts del títol relatius a equips, fàbriques, instal·lacions, serveis o la seua planificació, gestió o explotació. [DESCRIPCION2_VAL] => [DESCRIPCION3_VAL] => [ORDEN] => 18 ) ) [professors] => Array ( [0] => Array ( [DNI] => emp339578 [NOMBRE_PERSONA] => Alejandro [APELLIDOS] => Acuña Muñoz [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => Ingeniero de Diseño Analógico. Maxlinear [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) [1] => Array ( [DNI] => emp311201 [NOMBRE_PERSONA] => María Teresa [APELLIDOS] => Bacete Castelló [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => Site Director. Maxlinear [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) [2] => Array ( [DNI] => uni8950 [NOMBRE_PERSONA] => Javier [APELLIDOS] => Calpe Maravilla [PDI] => 1 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => Departament d'Enginyeria Electrònica. Universitat de València [CARGO_FACULTAD] => Profesor/a Titular de Universidad [NPI] => H1225 [EMAIL_FACULTAD] => calpe@uv.es [CARGO_EMPRESA] => [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) [3] => Array ( [DNI] => emp65383 [NOMBRE_PERSONA] => Miguel [APELLIDOS] => Chanca Martín [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => IC Lead. Robert Bosch [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) [4] => Array ( [DNI] => emp448970 [NOMBRE_PERSONA] => Fausto [APELLIDOS] => Codina Ferrús [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => Senior Manager Layout. Analog Devices [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) [5] => Array ( [DNI] => emp448971 [NOMBRE_PERSONA] => Enrique [APELLIDOS] => Company Bosch [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => Analog Design Manager. Analog Devices [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) [6] => Array ( [DNI] => emp449310 [NOMBRE_PERSONA] => José Manuel [APELLIDOS] => García González [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => Senior Principal design engineer. 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Universitat de València [CARGO_FACULTAD] => Profesor/a Titular de Universidad [NPI] => H1225 [EMAIL_FACULTAD] => calpe@uv.es [CARGO_EMPRESA] => [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) ) [1] => Array ( [0] => Array ( [DNI] => uni15322 [NOMBRE_PERSONA] => Abilio Candido [APELLIDOS] => Reig Escriva [PDI] => 1 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => Departament d'Enginyeria Electrònica. Universitat de València [CARGO_FACULTAD] => Profesor/a Titular de Universidad [NPI] => H9057 [EMAIL_FACULTAD] => candid@uv.es [CARGO_EMPRESA] => [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) ) [2] => Array ( [0] => Array ( [DNI] => emp65383 [NOMBRE_PERSONA] => Miguel [APELLIDOS] => Chanca Martín [PDI] => 4 [DEPARTAMENTO_FACULTAD] => [CARGO_FACULTAD] => [NPI] => [EMAIL_FACULTAD] => [CARGO_EMPRESA] => IC Lead. Robert Bosch [DIRECCION_URL_POSTGRADO] => [URL_LINKEDIN_POSTGRADO] => ) ) ) )

Experto Universitario en Diseño Microelectrónico Analógico y Mixto Avanzado

Datos generales
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 Programa
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 Dirección
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 Profesorado
+
 Metodología
+
 Acceso y Resultados de Aprendizaje
-

Requisitos de acceso

Los perfiles de ingreso recomendado se corresponderán a los perfiles formativos de los siguientes planes de estudio a nivel de grado: Ingeniería Electrónica de Telecomunicación, Ingeniería en Tecnologías y Servicios de Telecomunicación, Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación, Ingeniería Electrónica Industrial, Ingeniería Electrónica y Automática Industrial, Ingenieri¿a Electro¿nica Industrial y Automática, Informática Industrial y Robótica, Ingenieri¿a Informática, o grados, nacionales o extranjeros, con una alta afinidad a los aquí enumerados. En menor medida, podrían considerarse graduados en: Ingeniería de la Energía, Ingeniería Aeroespacial, Ingeniería Telemática, Ingeniería Robótica, Ingeniería Física, o títulos afines. En casos excepcionales, podrían considerarse perfiles científicos tradicionales como Grado en Física, Grado en Matemáticas o Grado en Ciencia de Datos. Se permitirá el acceso al estudiantado que le falte menos de un 10% de los créditos para terminar los estudios de grado, de forma condicionada a que se aprueben durante el mismo curso académico. Respecto al perfil personal del estudiante que mejor se adapta, corresponde a personas que quieran profundizar con rigor en los conocimientos y las habilidades que se requieren para especializarse en las áreas descritas para la orientación profesional. Así deberían tener una afinidad con la microelectrónica como motor en amplios sectores socioeconómicos, y en especial, como contribución esencial en sectores estratégicos industriales. Perfiles profesionales del sector con voluntad de asentar, reorientar o complementar su formación también serán adecuados para este título.

Criterios de admisión

Como criterios generales, la dirección del Máster utilizará los siguientes aspectos para valorar las solicitudes de los alumnos: - Titulación (teniendo en cuenta la afinidad del mismo con los contenidos del Máster). - Expediente académico. - Currículum vitae (valorando los cursos recibidos, los méritos de investigación y la experiencia profesional, relacionados con los contenidos del Máster). En el caso de que la demanda de estudiantes sea superior a la oferta y sea necesaria una selección de los estudiantes, ésta será realizada por la CCA del Máster de acuerdo a criterios científicos y académicos basados en la siguiente tabla de ponderación: Formación de partida y título con el que se accede al Máster (los Graduado en Ingenieri¿a Electro¿nica de Telecomunicacio¿n y los Graduado en Ingenieri¿a Electro¿nica Industrial obtienen la máxima puntuación) 40 % Calificación media del expediente de la titulación de acceso. 20 % Currículum vitae presentado (con justificación documental de méritos alegados). Si se considera conveniente se podrá realizar una entrevista personal sobre los méritos alegados y la prioridad del MOIE frente a otros masters 40 %

Resultados de aprendizaje

Se identifican los siguientes: ¿ Diseñar circuitos integrados digitales, analógicos y mixtos. ¿ Utilizar sensores electroópticos en tecnologías CMOS e híbridas. ¿ Diseñar y validar circuitos y sistemas integrados de aplicación específica. ¿ Verificar y testear circuitos integrados utilizando diferentes tecnologías y herramientas. ¿ Diseñar circuitos integrados monolíticos de alta frecuencia (MMIC). ¿ Capacidad de realizar el diseño físico, optimización y caracterización de materiales semiconductores y dispositivos para aplicaciones microelectrónicas integradas. ¿ Diseñar sensores, transductores y circuitos de interfaz y acondicionamiento con tecnologías MEMs y otras adecuadas para la hibridación con CMOS. ¿ Analizar aspectos metodológicos y aspectos de ensamblaje y encapsulado de sistemas electrónicos y fotónicos. ¿ Considerar competencias de proceso adecuadas en entornos de fabricación, testeo, ensamblaje y encapsulado donde se materialicen los diseños en las diferentes tecnologías contempladas. ¿ Monitorizar y realizar controles de calidad de los diferentes procesos de una secuencia de fabricación de semiconductores a través de distintos tipos de metrología (medidas eléctricas, ópticas, optoelectrónicas, etc.). ¿ Gestionar y participar en procesos de calidad, fiabilidad y certificación.

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